🔌 ترانزستور IGBT YGW60N65F1
IGBT Transistor YGW60N65F1
🧾 الوصف العام
القطعة YGW60N65F1 هي ترانزستور قدرة من نوع IGBT يُستخدم في تطبيقات الطاقة العالية مثل الإنفرترات، UPS، أجهزة اللحام، وأنظمة الطاقة الشمسية. يتميز بقدرته على تحمل جهد يصل إلى 650 فولت وتيار عالي، مع سرعة تبديل جيدة وكفاءة عالية في تحويل الطاقة.
⚙️ المواصفات الفنية
-
🔹 نوع القطعة: IGBT Power Transistor
-
🔹 الموديل: YGW60N65F1
-
🔹 أقصى جهد بين المجمع والباعث (VCE): 650 فولت
-
🔹 التيار المقنن (IC): 60 أمبير
-
🔹 تيار الذروة: حتى 120 أمبير تقريباً
-
🔹 جهد البوابة (VGE): ±20 فولت
-
🔹 جهد التشبع (VCEsat): حوالي 1.85 فولت
-
🔹 قدرة التبديد: حتى 260 واط
-
🔹 درجة حرارة التشغيل: -40 إلى +150°C
-
🔹 نوع التغليف: TO-247
-
🔹 عدد الأرجل: 3 أرجل
🌟 المميزات
-
جهد عالي حتى 650V
-
كفاءة عالية وفقد طاقة منخفض
-
سرعة تبديل جيدة
-
تحمل حراري جيد
-
مناسب للتطبيقات الصناعية
🎯 الاستخدامات
-
الإنفرترات (Inverter)
-
مزودات الطاقة UPS
-
أجهزة اللحام
-
أنظمة الطاقة الشمسية
-
دوائر التحكم بالمحركات
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.